3月11日，省長劉國中主持召開省政府第六次常務會議，研究了2019年度省科學技術獎勵工作。會議決定，授予楊紹卿、安芷生、郝躍三位院士2019年度陜西省最高科學技術獎，對“復雜疾病相關模式發現理論與方法研究”等260個項目進行獎勵。
多年來，郝躍院士奮斗在教學和科研第一線，長期從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養工作。自上世紀九十年代起，他開始研究第三代（寬禁帶）半導體材料與器件，是我國第三代半導體電子學領域的開拓者和引領者。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波器件、半導體短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了一系列創新成果。創建了我國第三代半導體氮化鎵外延生長、器件結構以及制造工藝的理論與技術體系，實現了我國第三代半導體從核心設備、材料到器件的重大創新，并使我國在氮化物第三代半導體電子器件步入國際領先行列。
郝躍院士簡介：
郝躍，安徽省阜陽人，1958年3月生于重慶市。微電子學專家，微電子學與固體電子學博士生導師。1982年畢業于西安電子科技大學半導體物理與器件專業，1991年在西安交通大學計算數學專業獲博士學位。現任九三學社第十四屆中央委員會常委和九三學社陜西省委主委、中國電子學會副理事長、國際IEEE學會高級會員。2013年當選中國科學院院士。
郝躍自上世紀九十年代開始從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養，開拓和引領了我國第三代（寬禁帶）半導體電子材料與器件的發展，攻克研制出高質量材料生長的設備，實現了最高效率的氮化鎵微波功率器件、最高亮度的深紫外氮化鎵LED器件，創建了我國第三代半導體氮化鎵外延生長、器件結構以及制造工藝的理論與技術體系，使我國在氮化物第三代半導體電子器件步入國際領先行列。
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