“既然選擇了做科研，就要瞄準國家重大需求，腳踏實地，擇善而固執。”2019年度陜西省最高科學技術獎獲得者、中國科學院院士、西安電子科技大學學術委員會主任郝躍表示。
郝躍1982年畢業于西北電訊工程學院（西安電子科技大學前身），1998年獲國家科技進步獎三等獎，2008年和2009年分獲國家科技進步獎二等獎和國家技術發明獎二等獎，2010年獲“何梁何利”科學與技術進步獎，2013年當選中國科學院院士，2015年再獲國家科技進步獎二等獎。2019年他的團隊獲得了國家科技進步獎一等獎。
他以自身經歷，詮釋了科學家的責任與擔當。
“微電子不微?！边@是郝躍常說的一句話。隨著信息科技的發展，以集成電路芯片為核心的微電子技術，不僅與我們的生活息息相關，更是國家核心競爭力的體現。新型氮化物半導體國際上稱為第三代材料，又稱為寬禁帶半導體材料。氮化物半導體器件在通信、電力系統、照明、生物、醫療，以及軍事領域具有十分廣泛的應用前景。
2004年，寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室掛牌，這個專門的機構為更深入地進行科學研究提供了有力支撐；2005年前后，國內寬禁帶半導體產業開始發展之時，西安電子科技大學的寬禁帶半導體研究已經有了深厚的積累，出版了國內最早探討寬禁帶半導體的專著《碳化硅寬帶隙半導體技術》；2007年，寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室獲批；2019年，國家工程研究中心建設獲批。
如今，以郝躍為學術帶頭人的寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室，已成為國內外寬禁帶半導體材料和器件科學研究、人才培養、學術交流、成果轉化方面的重要基地，引領我國寬禁帶半導體研究自主發展，服務產業工程應用。
“我們要相信自身的實力，我們的目標還在更高更遠處！”郝躍經常這樣勉勵團隊成員。目前，郝躍及其團隊依然在為更低能耗、更優性能的半導體器件與集成電路芯片發展而不懈奮斗。
（文/陜西日報社·張 梅）
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